一.双极型晶体管的工作原理（一）双极型晶体管的结构（二）双极型晶体管内部载流子传输过程（三）双极型晶体管的电流关系（四）双极型晶体管的特性曲线（五）双极型晶体管的参数（六）双极型晶体管的型号
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晶体管作为一种重要的半导体器件，其直流参数对于电路设计至关重要。将着重探讨两种关键的直流参数：共基直流电流放大系数和共射直流电流放大系数。 共基直流电流放大系数 共基直流电流放大系数反映了在共基极接法下，晶体管对电流信号的放大能力。 共射直流电流放大系数 (β) 共射直流电流放大系数 (β) 是指在
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APM2315AC-TRL-VB场效应管 APM2315AC-TRL-VB是一款采用SOT23封装的P沟道场效应晶体管，具有小巧的尺寸和优良的性能，适用于各种电子应用。
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（1）由于发射结正偏：有大量的电子从发射区向基区扩散，形成的电流IEN。晶体管的电流分配：2.载流子的传输过程：ICN使扩散到集电结边沿的电子，很快被收集到集电区，形成集电极电流ICN。（3）因集电结反偏：IEN ICBO t基区的空穴从基区向发射区扩散，形成的电流IEP。（2）基区的空穴和发射区扩
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反向特性：当二极管反向偏置时，电流很小，约为几十微安（锗管）到几百微安（硅管）。 击穿电压：当反向电压超过一定值时，反向电流急剧增加，二极管发生反向击穿。 击穿类型：根据可逆性可分为电击穿和热击穿。
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半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、
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最大整流电流(IF)：允许的最大正向平均电流。 最大反向工作电压(URM)：允许的最大反向电压，通常为击穿电压的一半。 反向电流(IR)：越小越好，表示单向导电性越强。 最高工作频率(fM)：超过此频率，单向导电性能下降。
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