发射结正偏与晶体管电流分配分析
（1）由于发射结正偏：有大量的电子从发射区向基区扩散，形成的电流IEN。晶体管的电流分配：
2.载流子的传输过程：ICN使扩散到集电结边沿的电子，很快被收集到集电区，形成集电极电流ICN。
（3）因集电结反偏：IEN ICBO t基区的空穴从基区向发射区扩散，形成的电流IEP。
（2）基区的空穴和发射区扩散到基区的电子复合，形成的电流IBN。IBN t使集电结两侧的少子形成漂移电流ICBO。
E B C N + P N U EB U CB IEP
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