反向特性：当二极管反向偏置时，电流很小，约为几十微安（锗管）到几百微安（硅管）。 击穿电压：当反向电压超过一定值时，反向电流急剧增加，二极管发生反向击穿。 击穿类型：根据可逆性可分为电击穿和热击穿。
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最大整流电流(IF)：允许的最大正向平均电流。 最大反向工作电压(URM)：允许的最大反向电压，通常为击穿电压的一半。 反向电流(IR)：越小越好，表示单向导电性越强。 最高工作频率(fM)：超过此频率，单向导电性能下降。
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在低电平二极管信号的工作状态下，当vD值较小时，级数可以简化为前四项。由于二极管难以达到理想的平方特性，调制效率低，产生的无用成分较多，导致平方律调幅器的使用较少。分类整理后可知，上、下边频是我们所需的信号。这些边频由平方项生成，因此称为平方律调幅器。最有害的分量是这些无用成分。
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半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、
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一.双极型晶体管的工作原理（一）双极型晶体管的结构（二）双极型晶体管内部载流子传输过程（三）双极型晶体管的电流关系（四）双极型晶体管的特性曲线（五）双极型晶体管的参数（六）双极型晶体管的型号
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