二极管反向特性
反向特性：当二极管反向偏置时，电流很小，约为几十微安（锗管）到几百微安（硅管）。
击穿电压：当反向电压超过一定值时，反向电流急剧增加，二极管发生反向击穿。
击穿类型：根据可逆性可分为电击穿和热击穿。
二极管分类
当前话题为您枚举了最新的 二极管分类。在这里，您可以轻松访问广泛的教程、示例代码和实用工具，帮助您有效地学习和应用这些核心编程技术。
二极管的主要参数
最大整流电流(IF)：允许的最大正向平均电流。
最大反向工作电压(URM)：允许的最大反向电压，通常为击穿电压的一半。
反向电流(IR)：越小越好，表示单向导电性越强。
最高工作频率(fM)：超过此频率，单向导电性能下降。
二极管整流电路微机原理课件
二极管应用的全波整流电路，输出电压是原来交流电的 0.9 倍，效率挺高。它的优点就是输出电压比较高，但也有点缺点，那就是需要一个抽头变压器。如果你是做电路设计的，会用到这种整流方式，像家电的电源部分就经常会涉及。整流电路的设计不难，掌握了原理后，动手做起来其实蛮。如果你对这个技术感兴趣，强烈推荐了解
半导体二极管的型号 - 微机原理课件
半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：附录。
低电平二极管信号的调制状态分析
在低电平二极管信号的工作状态下，当vD值较小时，级数可以简化为前四项。由于二极管难以达到理想的平方特性，调制效率低，产生的无用成分较多，导致平方律调幅器的使用较少。分类整理后可知，上、下边频是我们所需的信号。这些边频由平方项生成，因此称为平方律调幅器。最有害的分量是这些无用成分。
三极管,场效应管参数大全
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、
无限极分类源代码
提供一个 Delphi 类，可以将数据库数据自动添加到 Treeview 控件中。该类可操作 Treeview 目录树和数据库，数据库中存放 Treeview 节点数据的表结构包含 ID、PID、Caption 字段。
双极型晶体管与场效应管比较微机原理课件
双极型晶体管和场效应型管这两者挺常见的，虽然都是用于信号放大和开关作用，但它们的结构、原理和特性差别还是蛮大的。双极型晶体管主要通过载流子的扩散来放大信号，通常用的是电流输入。而场效应管则是通过电压来控制电流，工作原理上更多依赖于电场作用。你可以把双极型晶体管理解成电流放大型的，而场效应管则是电压放
三极管资料(较为热门难得)
场效应管参数表(2SJ) IRF场效应管（IRF）三极管资料TIP 2SA B C IRF场效应管大全
三极管载流子传输过程微机原理课件
三极管内部载流子的传输过程讲得还挺透彻的，属于那种一看就明白、一听就有点‘哎哟不错哦’的课件。讲原理不啰嗦，图文搭配也清晰，适合那种刚入门还抓不住电流方向的你，或者是回锅复习一下的老手。