STM32Flash作为EEPROM的应用与实现

STM32片上Flash用作EEPROM的方式具有一定的优势,主要体现在减少外部硬件依赖、节省空间以及提升系统稳定性等方面。STM32的Flash存储器通常用于程序代码存储,但其具有足够的可擦写次数(通常为10万次以上)和足够的容量,适合用来实现一些低频次、较小数据量的EEPROM功能。以下是实现方法:

  1. 选择存储区域:选择片上Flash的一部分作为数据存储区域。一般建议选择Flash的末尾区域,这样可以避免影响程序代码存储区域。

  2. 编写读写函数:使用STM32的HAL库或者标准库提供的API来进行Flash的读写操作。写入Flash时,需要首先擦除目标页。

  3. 写入保护:为了防止在系统运行时意外修改,可以在特定情况下对Flash进行写保护。

  4. 耐久性考虑:由于Flash有擦写次数限制,通常需要在数据写入时进行擦写均衡,避免频繁写入同一地址。

通过上述方式,STM32的Flash能够满足部分低速、低频次数据存储需求,达到类似于EEPROM的功能。

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