电气特性-nlintrules

1.0电气特性绝对大额定值†电源电压+22V输入电压， IN A或IN B （VDD + 0.3V）至（GND – 5V）封装功率消耗（TA ≤ 70°C） DFN注3 MSOP 340 mW PDIP 730 mW SOIC 470 mW储存温度范围-65°C至+150°C大结温+150°C †如果器件运行条件超过了上述各项绝对大额定值，即可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是运行条件的极大值。我们不建议器件运行在超过或在技术规范以外的条件下。器件长时间工作在绝对大额定值下，其稳定性可能受到影响。引脚功能表DC特性名称功能NC没有连接IN A输入A GND地IN B输入B OUT B输出B VDD电源输入OUT A输出A NC没有连接电气规范：除非另有说明，所有参数均在TA = +25ºC且4.5V ≤ VDD ≤ 18V。参数符号小值典型值大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH 2.4 — — V注2逻辑0，低输入电压VIL — — 0.8 V输入电流IIN -1.0 — +1.0 µA 0V ≤ VIN ≤ VDD输出高输出电压VOH VDD – 0.025 — — V DC测试低输出电压VOL — — 0.025 V DC测试输出电阻RO — 7 10 Ω IOUT = 10 mA， VDD = 18V峰值输出电流IPK — 1.5 — A VDD = 18V锁定保护经受得住的反向电流IREV — > 0.5 — A占空比≤ 2%， t ≤ 300 µs VDD = 18V开关时间（注1）上升时间tR — 19 30 ns图4-1下降时间tF — 19 30 ns图4-1延时时间tD1 — 20 30 ns图4-1延时时间tD2 — 40 50 ns图4-1电源电源电流IS — — 4.5 0.4 mA VIN = 3V （两个输入） VIN = 0V （两个输入）注1：器件设计时已确保开关时间。 2：对于V温度范围器件， VIH （小值）下限是2.0V。 3：封装功耗与PCB上铜层的面积有关。 2006 Microchip Technology Inc. DS21422C_CN第3页